Nano-Vault Architecture Dissipating Stress in Si films for Li-Ion Batteries

Inventor ARAID: 
Juarez-Perez , Emilio J.
Otros inventores: 
Haro, Marta
Grammatikopoulos, Panagiotis
Zhao, Junlei
Patente en activo: 
País/Paises de prioridad: 
Japón
Fecha de prioridad: 
09/2020
Entidades dueñas de la patente: 
OIST
Número de solicitud: 
63/075,455
Paises a los que se ha extendido la patente: 
USA
Fecha de explotación: 
2020